美光计划跳过一代 NAND 闪存技术，直接从当前的第九代（G9）跃升至第十一代（G11），承诺推出层数突破 400 层、密度更高且速度更快的芯片。该公司预计将于 2027 年下半年开始量产爬坡。
美光现有的 G9 NAND 采用 276 层结构，首次应用于 2024 年 7 月发布的 Micron 2650 客户端固态硬盘（SSD）。美光总裁兼首席技术和产品官 Scott DeBoer 表示，这一跨越旨在为未来的 AI 产品带来实质性变革，甚至将 NAND 代数编号也纳入了 AI 营销战略之中。
性能宣称与技术路径
与 G9 相比，美光声称 G11 将使比特密度翻倍，输入 / 输出（I/O）速度提升高达 50%，并将每个比特的传输能耗降低 25%。DeBoer 称："这项 G11 技术是世界上最先进的 NAND。"该设计采用了晶圆对晶圆键合技术，但关于密度、速度和效率的具体提升数据目前仍属于公司单方面宣称，更多技术细节将在临近发布时提供。
面向 AI 的两种存储方案
针对高要求的 AI 工作负载，美光提出了两种未来存储方案：
第一种方案侧重于提高每秒输入 / 输出操作次数（IOPS）。该方案使用单层单元（SLC）NAND 和更小的区块，性能目标介于 2500 万到 1 亿 IOPS 之间，并规划未来 SSD 容量达到 512TB。不过，美光尚未确定是否有单一出货驱动器能同时结合最大容量和最高性能指标。
第二种方案通过在基础介电层上方堆叠 NAND 层，并利用硅通孔（TSV）进行连接，以寻求更大的带宽。这种方式类似于高带宽内存（HBM）中的垂直连接，但 NAND 在系统中扮演的角色不同。美光希望存储设备能更靠近计算核心，以利用更快的连接速度，同时避免占用加速器旁宝贵的空间。DeBoer 指出，虽然不紧邻加速器，但靠近计算核心本身可以充分利用高性能 NAND 并验证路径可行性。
这一举措使美光进入了闪迪（SanDisk）和 SK 海力士正在探索的高带宽闪存领域，后两者的设计同样是将 NAND 堆叠在逻辑或控制器介电层之上并连接至附近加速器。美光设想，其未来面向 AI 的 NAND 将广泛应用于个人电脑、工作站、汽车、机器人、移动设备和可穿戴设备。
元股证券:ygzq.hk【星途科讯 图文丨 Patrick 首发于 ZAKER 科技财经配资推荐，转载请注明出处】
元股证券官网提示：本文来自互联网，不代表本网站观点。
